نتایج جستجو برای: "ثابت های اپتیکی"

تعداد نتایج: 485702  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1390

در این تحقیق ثابت های اپتیکی فیلم های نازک، با استفاده از یک روش اپتیکی که توسط مینکوو پیشنهاد شده است به دقت محاسبه شد. روش مینکوو بر اساس پوش های ماکزیمم و مینیمم طیف بازتاب می باشد که هم قسمت حقیقی و هم قسمت موهومی ضریب شکست مختلط را بدست می دهد. سپس سایر خواص اپتیکی فیلم های نازک از قبیل: ضریب خاموشی، ضخامت، تابع دی الکتریک مختلط، رسانندگی اپتیکی و پارامترهای پاشندگی محاسبه و طیفشان رسم شد....

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
عبدالله مرتضی علی a morteza ali azzahra universityدانشگاه الزهرا رقیه مداح r maddah islamic azad university of semnanدانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان معصومه حیدری m heidari azzahra universityدانشگاه الزهرا

مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2aº/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (r) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (k.k.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نت...

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی ن...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی و ثابت های کشسانی ترکیب های هویسلر Co2CrZ(Z=Al,Ga) مورد مطالعه قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریة تابعی چگالی با استفاده از تقریب GGA و کد محاسباتی Wien2k انجام گرفته است.در این تحقیق خواص ساختاری ترکیب های Co2CrZ(Z=Al,Ga) ازجمله ثابت شبکه،مدول انبوهه و مشتق آن محاسبه شده است.در این مح...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

Journal: :مجلة البحث العلمی فی الآداب 2020

ژورنال: نانو مواد 2018

در ‌این پژوهش اثر آهنگ انباشت روی ثابت‌های اپتیکی لایه‌های نازک مس در بازه طول موج (nm 3300 - 175) به روش کریمرز-کرونیگ بررسی شده‌اند. ‌این لایه‌ها به روش تبخیر در خلاء توسط پرتو تفنگ الکترونی و با آهنگ انباشتی در بازه (Å/s 20 - 6/0) در دمای K 313 و زاویه °5/8 تهیه شده‌اند و سپس ‌اندازه‌گیری‌های اپتیکی توسط دستگاه اسپکتروفتومتر (Carry 500) انجام شده است. برای بررسی اثر آهنگ انباشت روی ثابت‌های ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمدرضا خانلری mr khanlary imam khomeini international university of qazvinدانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین ندا احمدی n ahmadi imam khomeini international university of qazvinدانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین

لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید